A Samsung apresentou um novo módulo de memória RAM DDR5 com 512 GB e que promete um desempenho até 7200 Mbps. Para já, estes componentes destinam-se a equipar supercomputadores, soluções de Inteligência Artificial e de aprendizagem de máquina. Mais tarde, é expectável que cheguem também aos computadores domésticos, de gaming e outras aplicações.
Este componente usa tecnologia High-K Metal Gate, usada pela primeira vez pela Smasung em 2018 nos chips GDDR6 aplicados em GPUs. A tecnologia foi desenvolvida pela Intel, usa outro material em substituição do silício e permite maiores densidades, reduzindo fugas de corrente.
O Engadget explica que cada chip usa oito camadas de 16 Gb DRAM para uma capacidade de 128 Gb ou 16 GB e, assim, são necessários 32 destes para compor um módulo RAM com 512 GB. Além de velocidade e capacidade, estas memórias são também 13% mais ‘poupadas’ em consumo energético.
O comunicado de imprensa da Samsung afirma que esta solução vai ser compatível com os processadores Sapphire Rapids Xeon Scalable da Intel, uma arquitetura que vai usar controladores de memória DDR5 de oito canais.
Em 2022, a AMD deve anunciar a plataforma Zen 4, com suporte a DDR5 o que se deve traduzir nas primeiras chegadas destes computadores ao segmento de consumo.
