Atualmente, os smartphones e tablets parecem não ter espaço suficiente para guardar todas as fotos, vídeos e apps. Agora, a Intel e a Micron anunciaram uma parceria para o desenvolvimento de chips flash com o triplo da capacidade conseguida com o atual topo de gama da Samsung. Por outro lado, a Toshiba anuncia um chip semelhante ao da Samsung, o que significa mais oferta e, possivelmente, diminuições de preços, já que com mais concorrência no segmento as empresas devem ser obrigadas a baixar os preços.
Todas estas novas soluções usam uma técnica chamada 3D stacking para conseguir mais espaço de armazenamento. «3D vai ser uma das formas para assegurar a Lei de Moore», disse Michael Jackson, professor do Rochester Institute of Technology.
A solução da Intel e da Micron passa por oferecer dois bits em cada célula, o que equivale a 256 GB no total e depois três bits por célula, para obter 384 GB. A Toshiba, por sua vez, passa por dois bits por célula para conseguir chips com 128 GG, noticia a Cnet.
O produto da Intel e Micron deve chegar ao mercado no final deste ano, com 32 camadas de memória flash. Vários chips podem ser integrados num só pack, oferecendo um total de 768 GB e que cabem na ponta de um dedo, explica a Intel.
Estas inovações podem causar alguma agitação num mercado dominado pela Samsung, com uma quota de 28%, segundo os dados mais recentes da Statista. A Toshiba tem 22%, a Micron 14% e a Intel 8%.
