A fabricante coreana anunciou que já iniciou a produção em massa do chip de segunda geração da classe de 10 nanómetros de 16 Gb LPDDR4X. A sigla significa Low Power, Double Data Rate, 4X e implica que os chips são de 4266 Mbps e, por outro lado, consomem menos 10% de energia. O
O The Verge avança que é possível também combinar estes componentes e criar um pack de quatro chips de 10nm de 16 Gb LPDDR4X DRAM que oferece bastante mais desempenho, eficiência energética e que consegue ser 20% mais fino do que o modelo atual.
Sewon Chun, vice-presidente da Samsung, prometeu que estes novos chips de memória devem chegar ao mercado no final deste ano ou no início de 2019. Tudo indica que chegarão a tempo de equipar a próxima geração de topos de gama Galaxy, mas não ao Note 9 cujo lançamento deve acontecer no final deste mês.
