Visão | Memória de transístores ferroelétricos com menos 99% de consumo

Memória de transístores ferroelétricos com menos 99% de consumo

Diagrama da disposição de componentes na FeTRAM Eurekalert

Cientistas afirmam que esta nova tecnologia pode aumentar a velocidade das memórias ao mesmo tempo que reduz em cerca de 99% o consumo energético em relação às memórias do tipo flash.

Celso Miranda

Diagrama da disposição de componentes na FeTRAM
Eurekalert

A FeRAM (RAM Ferroelétrica) já se encontra em desenvolvimento há alguns anos, durante os quais, a tecnologia tem-se mostrado prometedora no capítulo do desempenho. Segundo o Engadget, esta tecnologia pode atingir os 1,6 GB/s tanto em leitura como em escrita. Mas tem outras vantagens, como a elevada densidade de dados – 620 mil milhões de bits cabem numa área de um centímetro quadrado.

Agora, investigadores da universidade de Purdue, reconhecem que parte da sua investigação pode ter sido em vão. Aparentemente, descobriram que existe uma outra tecnologia, semelhante, que traz ainda mais benefícios – a FeTRAM (RAM de transistores ferroelétricos).

A FeTRAM é, na sua essência, um tipo de memória que usa transístores ferroelétricos, elaborados a partir da combinação de nanofios de silicone com um polímero ferroelétrico. Este novo tipo de material retém a polaridade (informação de 0 e 1) mesmo depois de ter sido lido, ao contrário da FeRAM em, que por ser baseada em capacitadores, as leituras se tornam destrutivas.

A tecnologia ainda se encontra na fase experimental, mas já demonstra um importante aumento nas velocidades de leitura e escrita enquanto permite uma poupança de energia na ordem dos 99%.